“三星宣布基于10 nm的EUV DRAM生产”
发布时间：2021-05-16 05:51:01
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该公司声称将向业界领先的euv流程节点敞开大门，后者越来越多地用于高端pc、移动、企业和数据中心系统的新一代产品。 据悉，三星在dram生产中使用了euv制造技术，克服了dram扩展的挑战。
dram产品和技术执行副总裁jung-bae lee表示，这一重大进步强调了如何通过及时开发面向高端技术和高端存储市场的新一代存储产品，继续为全球it创新做出贡献。 我在三星电子。
euv制造减少了多模式下的重复工序，提高了模式精度，从而提高了成品率、性能和开发时间。 三星表示，euv制造将全面引入新一代dram产品，这将从第四代10纳米级( d1a )或14纳米级高级dram开始。
三星还有望于2021年开始量产基于d1a的ddr5和lpddr5，这将使12英寸d1x晶片的生产效率翻倍。 另外，为了进一步满足领域对新一代高级dram增长的诉求，三星有望于今年晚些时候在韩国平泽市的工厂开设第二条半导体生产线。
kitguru表示，由于各行业对新一代芯片的诉求不断增加，三星正在加速制造工厂的euv生产，并在不久的将来加速向ddr5和lpddr5的转移。
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