“三星宣布推出业界首款EUV DRAM将于2021年开始量产”
三星电子今天宣布，基于极紫外( euv )技术的行业首款10nm级) d1x ) ddr4)倍速率4 ) dram模块已成功上市，并开始量产ddr5存储器。 在2021年
三星通过euv加强ddr4的生产技术，提高产量，以100万为单位出货。
当新的基于euv的dram模块向高端pc、移动设备、公司服务器和数据中心应用程序中采用的更高级的euv流程节点打开大门时，它完成了全球客户的决策。
三星电子产品和技术副总裁lee jung-bae lee表示，随着基于euv的新dram的生产，他将致力于提供创新的dram处理计划，以支持全球的it客户 这一重大进步突出了如何通过及时开发面向高端技术和高端内存市场的新一代内存产品来继续为全球it创新做出贡献。
三星是第一家将euv用于生产euv dram以克服dram扩展难题的公司。 euv技术可以减少多重图案制作中的重复步骤，提高图案制作的准确性，提高性能，提高工作效率，缩短开发时间。
明年将发售ddr5和lpddr5
euv将从第四代10纳米级( d1a )或高度先进的14纳米级dram全面引入三星新一代dram。 三星计划从明年开始量产基于d1a的ddr5和lpddr5，这将使12英寸d1x晶片的生产效率提高一倍。
随着明年ddr5 / lpddr5市场的扩大，该公司将进一步加强与主要it客户和半导体供应商在优化标准规范方面的合作，以加快整个内存市场向ddr5 / lpddr5的过渡。
为了更好地满足新一代高质量dram增长的诉求，三星将从今年下半年开始在韩国平泽市建立第二条半导体生产线。
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