“三星原型开发首款3nm GAAFET半导体”
发布时间：2021-05-17 18:18:01
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7纳米工艺达到了高峰。 据传闻，英伟达向台湾积体电路制造和三星发出订单，称将在年中期推出新一代安培蚀刻卡。 另外，据说台湾积体电路制造投资5纳米工艺，苹果将台湾积体电路制造5纳米产能的三分之二预留给预计为iphone 12提供动力的a14soc。
现在，三星迈出了迈向3纳米工艺的第一步。 正如本周韩国经济杂志报道的那样。 根据该报告，三星的目标是到2030年成为世界第一的半导体制造商。
三星在3nm工艺中的工作基于gaafet技术，而不是finfet技术。 据悉，这将使总硅片尺寸减少35%，但耗电量将减少约50%。 另外，与5nm finfet工艺相比，功耗相同，性能提高了33%。
首先，我听说三星一年前在3nm gaafet技术工作，当时说的目标是2021年实现量产。 这曾被认为是雄心勃勃的，但如果三星成功生产了前3纳米样机，供应商可能会比预期的要近。
gaafet设计与finfet设计的不同之处在于，gaafet设计在通道的四个侧面周围具有栅极，从而降低功率泄漏，改善通道的控制。 这是缩小进程节点时的基本步骤。 通过切换到更高效的晶体管设计，减小节点尺寸，5nm finfet工艺可以大幅提高每瓦性能。
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