“Kioxia开发新的3DTwin BiCS FLASH半圆形闪存单元结构”

kioxia corp .开发了世界上第一个使用特殊设计的半圆型浮栅( fg )单元的三维) 3d )半圆型分裂栅闪光单元结构twin bics flash。

据该企业(以前是东芝存储器企业)称，与以前流传的ct )单元相比，twin bics flash在程序倾斜好、程序/擦除窗口大的同时，单元尺寸小得多。 这些属性使新单元设计成为每个单元4位( qlc )以上的预期候选项，以显着提高存储密度和减少堆栈层。

这项技术在加州旧金山召开的ieee国际电子设备会议( iedm )上发表。

3d闪存技术通过增加单元堆积层的数量，实现多层堆积和高长宽比蚀刻，以低价格实现了高位密度。 近年来，随着单元层数超过100，蚀刻轮廓控制、尺寸均匀性与生产率之间的权衡越来越困难。 为了解决这个问题，kioxia开发了一种新的半圆型单元设计，通过将栅电极分割为传统的圆形单元以减小单元尺寸，从而与传统的圆形单元相比，能够以更少的单元层实现更高密度的存储。

与平面闸门相比，圆形控制闸门通过曲率效应提供了更大的程序窗口，具有放松的饱和问题，其中曲率效应增强了通过隧道介质的载流子注入，减少了电子漏入方块( blk )介质。 在该分裂门单元的设计中，为了利用程序/擦除动力学的强力改善，圆形控制闸门对称地被分为两个半圆闸门。

如下图所示，通过组合采用高k blk介质和导电性存储层，提高了电荷捕获效率，实现了高耦合比，获得了编程窗口，减少了来自fg的电子泄漏，减轻了饱和度问题。 实验程序/擦除的特点表明，具有高k-klk的半圆形fg细胞在大圆形ct细胞上的程序斜率和程序/擦除窗口中表现出明显的增益。 具有优良编程/擦除特性的半圆形fg单元有望以较小的单元尺寸得到比较紧密的qlc vt分布。 此外，由于低陷阱si通道的整合，每个单元可以有4个以上的位。 例如，如图3所示的5级单元( plc )。

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