“Kioxia展示了NAND闪存的潜在继任者”
kioxia (正式名称为东芝存储器)期待着3d nand闪存的后续产品的制作，与qlc nand闪存相比能够提供更高的存储密度。 周四发布的这项新技术将缩小存储芯片的大小，增加每个单元的存储空，从而大幅提高每个单元的存储密度。
kioxia (以前是东芝存储器)创造了3d nand闪存的潜在继承人
上周四，kioxia发布了世界上第一个叫做twin bics flash的三维半圆形分裂门闪存单元结构。 这与kioxia的其他产品bics5 flash不同。 bics5闪存采用圆形的电荷捕捉单元，twin bics闪存采用半圆形的浮动门单元。 的新结构扩大了对单元进行编程的窗口，尽管单元在物理上比ct技术小。
twin bics闪存是目前qlc nand技术成功的主要选择，但该芯片未来的实现方法尚不清楚。 目前有三种修改方法，这种更新的芯片大大增加了闪存的存储量，对制造商来说是个大问题。
制造商已经设想了提高nand闪存密度的流行做法，设想了增加存储层的做法，已经设想了500层和800层的nand芯片。 制造商最近通过了96层的nand闪存芯片，实现了128位的nand闪存芯片。 提高nand闪存密度的另一个方法是缩小单元的大小。 这样可以将更多的单元格放在一个层次中。
提高nand闪存密度的最后方法是提高各单元的总位。 这是制造商最常用的。 这种方式给了我们slc、mlc、tlc和最新的qlc nand，比以前的技术多了一个单元的位数。
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