“UK III”
《新闻周刊》报告称，英国兰开斯特大学的研究人员成功地以与dram相同的速度制作了非违规闪存，但功耗仅为nand或dram内存的一小部分。 研究人员将该存储器命名为uk iii-v memory。 尚未解决的问题只有存储耐久性。
这意味着该存储器的开发还处于单晶体管阶段，与搭载uk iii-v的ram相比还有很长的路要走
用20纳米光刻制造工艺构建的栅电极需要约-10焦耳的10倍的功耗。 uk iii-v存储器的晶体管处于默认的截止状态，为栅极充电需要约5 ns的电力。 这意味着即使没有掺杂，电子也会从gasb的整个价带流向inas沟道的传导带。 以前是这样的情况，在这里，我们缩小了in(ga ) as通道。 除非施加适当的电压，否则将沟道状态的能量提升到gasb价带的正上方，使之处于非占有、常断的状态。 这样可以获得类似闪光灯的读数。 此外，还必须与以前的设备形成1-0目标，以便可以使用完全可寻址的阵列进行连接。 首席执行官manus hayne教授告诉《电子周刊》。
即使系统完全关闭，使用该非易失性存储器的pc也可以从完全关闭的瞬间恢复，因此可以将数据保存在ram中。 这一进步消除了对睡眠状态的需求，允许系统在空空闲时关闭ram，从而降低功耗。
有了这个新的非易失性存储器，也许能提供和dram同等的速度。 我很有兴趣看看uk iii-v存储器是否能像一般采用的dram那样解决重复的改写操作。 如果对这种存储的持久性存在疑问，则有可能阻止使用这种存储类型的计算机的梦想。
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