“台积电的新CoWoS技术使内存带宽翻倍”

台湾积体电路制造( tsmc )宣布与broadcom建立合作伙伴关系，并宣布了强化的片上晶片)平台。 这是基于2.5vIC )硅驱动器) tsv )中介层的封装技术，支持业界首创且最大的完整的2x射线掩模尺寸中介层。

新一代cowos中介层的面积约为1，700 mm2，可以用于提高高性能计算( hpc )系统的计算能力。 该技术还将准备新一代5纳米工艺节点，以支持台湾积体电路制造。

新一代的cowos可以容纳多个逻辑片上系统( soc )芯片和多达6个立方体的高带宽内存( hbm )，支持高达96gb的内存。 新的cowos技术还提供每秒2.7 tb的带宽( TB/秒)，比年上市的tsmc以前的cowos技术高2.7倍。

台湾积体电路制造称，该中介层提供的内存带宽是其他竞争技术的2.2倍。 根据wikichip的数据，英特尔淘汰的spring crest的内存带宽为1.23 tb / s秒，而nec的aurora峰值为2.2 tb / s秒。

三星的flashbolt hbm2e芯片，支持更大的内存带宽。 与竞争处理方式相比，这些芯片的每个芯片密度( 16千兆位)是其两倍，支持3.2 gt / s秒的速度。 6个堆栈的带宽为2.46 tb / s秒。

提高了内存容量和带宽，适用于深度学习、4g通信网络工作负载和高能效数据中心等内存密集型应用。 新技术在许多复杂的asic设计中增加了介于空之间的空间，从而提高了灵活性和成品率。

台湾积体电路制造预览了插补器技术，其口罩的尺寸可以达到线片尺寸的3倍( 2500 mm2 )以上，但该技术何时有望实现还没有定论。

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