“英特尔计划将TSMC的6nm和3nm用于下一代Xe GPU”

一份比较模糊的台湾出版物独家报道称，英特尔计划在dg1 gpu后不久放弃自己的10纳米工艺，采用台湾积体电路制造新一代零部件制造工艺。 跳跃发生在2021年，开始时使用台湾积体电路制造的6nm工艺。 传言说从gpu到tsmc的过渡过程和以前一样，我们没有独立验证这个消息。 因此，这篇帖子被标记为谣言，有一股盐味。

报告:英特尔利用台湾积体电路制造7纳米以下的技术生产高端xe gpu旗舰产品

英特尔今年将与dg1一起进行首次gpu测试。 这是基于10纳米工艺的显卡。 dg1的功耗和性能水平比nvidia mx 250高约25w，本质上是离散的tgl igpu。 拥有96个欧盟的国家很明显，intel只是想弄湿自己的脚学习绳子，然后进一步转向野心勃勃的xe hp。 不过，令人感兴趣的是，英特尔首席财务官此前承认10纳米的成品率不高，但实际上利润率将低于以前的22纳米工艺。 因此，看不到英特尔为了大规模生产主流gpu而选择节点。

英特尔希望将自己开发的独立显示器gpu移交给台湾积体电路制造的6纳米制造工艺，同时在2022年之前使用台湾积体电路制造的3纳米制造工艺。 英特尔首席财务官乔治·戴维斯此前曾公开表示，由于14纳米工艺的产能不足，英特尔将在年内增加越来越多的产能来填补空怀特。 对于10纳米工艺的一部分，预计不会像22纳米和14纳米工艺那样大规模生产。 面对未来更多的新产品，必须处理先进技术的问题。

该报告称，相关消息人士表示，英特尔计划于2021年使用台湾积体电路制造的6纳米EUV工艺生产自己的研究gpu和芯片组。 之所以将台湾积体电路制造用于gpu的生产，主要是因为gpu的生产比cpu和台湾积体电路制造在gpu的生产方面更有经验。 根据英特尔的官方数据，英特尔自行开发的xe架构dg1表示gpu将采用自行开发的10纳米工艺技术，于年底上市。 有96组执行单元，共有768个核心，频率为1ghz，加速频率为1.5ghz和1mb。 二级缓冲存储器和3gb显示存储器的最大功耗为25w。 在外部性能方面，只有基于xe的dg1位于nvidia geforce gtx 1050和geforce gtx 1650之间。

dg1的定位并不高端，但未来会有新一代dg2独立显示gpu产品出现。 预计dg2将成为高性能gpu。 根据以前的市场信息，英特尔dg2将采用台湾积体电路制造7纳米工艺技术，但根据市场信息，最终可能会使用台湾积体电路制造6纳米EUV工艺。 但是，英特尔计划在2021年量产7纳米工艺技术，当局宣布用于数据中心的ponte vecchio加速器卡将采用自己的7纳米工艺。 当时，英特尔和台湾积体电路制造能否真正合作，打开英特尔独立gpu生产记录的新网页，还需要更快的发展。 资料来源:台湾科技信息

英特尔的10纳米问题使gpu架构师成为一个非常独特的难题。 由于该企业计划迁移到euv (，重置难易度曲线，因此该7nm有可能到手，但在大量生产中难以挤压10nm。 考虑到台湾积体电路制造在制造gpu方面过时，同时比cpu更容易制造，这家企业实际上放弃英特尔tmg而采用台湾积体电路制造似乎有完全合理的理由。

另外，请注意，虽然对cpu的诉求越来越高，但制造会以100%的速度运行，无法远远超过诉求。 这是因为如果能够批量生产主流的gpu，将其卸载到台湾积体电路制造是没有道理的。 尽管如此，该公司确认了ponte vecchio将使用7纳米工艺进行制造。 因此，英特尔提出使用tmg和tsmc的非常灵活的计划，或者说这个谣言是虚假的。

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