“美光企业开始批量生产16Gb 1z级DDR4内存”

美国光科技宣布已开始批量生产使用1z纳米工艺的16gb ddr4 ram产品，该工艺是目前行业最小的特征尺寸工艺节点。 美光是第一家生产16gb 1z级ddr4 ram产品的dram企业，该公司相信它能在广泛的终端用户应用程序组合中提供高价值的处理方案。

与以前的1y工艺节点生成相比，1z nm工艺节点16gb ddr4产品的位密度更高，性能提高和价格更低。 与上一代8gb ddr4 ram处理方式相比，新节点还可以将功耗降低40%。

新的流程节点为新的ddr4产品提供了更大的灵活性，可以用于人工智能、自动驾驶车、5g、移动设备、图形、游戏、互联网基础设施、服务器等多种应用。 但是，美光似乎优先考虑数据中心的客户，他们想要更高的性能、更低的功耗和更低的价格。

美光企业还宣布，使用基于ufs的多芯片封装( umcp4)，开始批量生产行业最大的单片16gb低功耗两倍数据速率4x ) dram。 1z nm lpddr4x和umcp4产品面向的是寻求更长电池寿命和更小组件的高端智能手机公司。

三星是美光企业在dram市场的主要同业竞争对手，去年春天宣布，为新一代ddr5、lpddr5、gddr6内存产品的上市做准备，将于今年下半年开始生产1z nm 8gb ddr4模块。

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