“台积电开始向潜在目标群体提供EUV N7与芯片”
台湾积体电路制造今天宣布，n7 +工艺将大量投放市场。 该公司已经吸引了包括amd在内的众多顾客，amd宣布未来基于zen 3的芯片将采用新的7nm +工艺。
台湾积体电路制造还主张n7 +是业界第一个商业化的euv加工技术。 这不仅仅是台湾积体电路制造最初采用极紫外( euv )光刻技术的技术。 这家企业没有证明采用新芯片的产品。
这家台湾企业声称n7 +是第一个基于euv的技术，将产品推向市场，为众多顾客提供生产能力。 有了这个主张，台湾积体电路制造宣布打败三星，一年前开始生产7纳米。 华为和amd宣布将采用台湾积体电路制造技术，而amd的zen 3芯片将于年下半年公布。
台湾积体电路制造声称n7 +的生产是有史以来最快的之一，这可能意味着在成品率学习方面持续台湾积体电路制造n7 +与苹果企业a12芯片出道的年7nm工艺的成品率齐名。 n7 +于5月投入量产，之后到年底n6性能得到改善，密度与n7 +相似，但与n7的设计规律完全兼容。
来源于n7 +台湾积体电路制造( tsmc )的普通n7 )，似乎略有供应问题，但基本上是该公司首创的euv应对工艺技术，在有限的关键层采用了高价的asml光刻机。 n7 +为用户提供了15-20%的密度提高，降低了功耗。
euv是用于在芯片上图案化特征的新一代光刻处理方案。 以前流传的193nm duv在32nm节点或之前的路线图中提出后，通过在镜头和水中采用水，使用多种图案形成技术的浸没式光刻技术得到了扩展。 与沉浸式光刻技术的76nm极限相比，euv的13.5nm波长能够使印刷特性相距26nm。
台湾积体电路制造表明，经过多年的快速发展，这些工具在可用性(工作时间)和吞吐量方面已经达到生产成熟。 虽然台湾积体电路制造没有明确供货情况，但是生产目标接近或超过90%。 的台湾积体电路制造功率超过250w。
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