“SK海力士推出1Znm DDR4内存”

sk海力士宣布开发了新的1znm 16gb (千兆位) ddr4存储器。 1znm提供了业界最大的密度和每个晶片的总容量，可用于现有的ddr4 dram模块。

该企业声称，新型1znm存储模块的生产率比上一代1ynm生产线提高了约27%。 但是，制造工艺不需要昂贵的极紫外( euv )光刻。 因为这1znm的生产具有价格效益。

sk hynix 1znm内存支持高达3200mbps的数据传输速度，这是ddr4接口中最快的数据解决速度。 与以前的1ynnm 8gb dram密度相同的模块相比，新的1znm盘柜成功降低了约40%的功耗，从而提高了能效。

在制造过程中已经采用了上一代未采用的新物质，该物质能够使1znm产品的容量最大化。 是电容器能够蓄积的电荷量，这是dram操作中的重要因素。 在这个过程中，为了提高操作稳定性，还引入了新的设计。

1znm ddr4 dram具有业界最高的密度、速度和电力效率，是满足客户对高性能/高密度dram不断变化的诉求的最佳产品。 负责1z tf的lee jung-hoon说。 dram的开发和业务。 sk海力士将从明年开始量产和全面供货，积极应对市场诉求。

sk大力士计划将包括新一代移动lpddr5 dram和hbm3在内的1znm技术流程扩展到一系列应用中，这将是未来最快的dram。

kitguru先生说。 “sk hynix致力于技术进步和产品改善。 我们非常有兴趣看到在hbm3 dram上实施的这种新存储及其对未来性能的影响。

本文：《“SK海力士推出1Znm DDR4内存”》