“Kioxia推出QLC NAND闪存的潜在继任者”

kioxia以前被称为toshiba memory，开发了一种新技术，用于提高被称为twin bics flash的闪存的存储密度。 周四公布的这项技术实质上使存储器芯片能够增加更小的单元和各个单元的位数，两者都带来了存储密度的提高。

twin bics闪存是3d nand闪存驱动器的候补产品，各单元具有4位以上(别名qlc )。 这家企业在8月份的闪存提交2019年第一次向我们提供了有关该技术的提示。 当时，该公司展示了密度更高的3d nand驱动器的一半存储单元技术。 当时，kioxia被称为东芝存储器。

周四，kioxia公布了世界上第一个三维半圆形的分裂门闪存单元结构。 twin bics flash的名字与kioxia目前与合作伙伴western digital开发制造的另一种技术bics flash一致。

与采用圆形电荷阱单元( ct )的bics flash不同，新的twin bics flash采用了半圆形浮栅单元) fg )。 即使单元比ct技术小，新的结构也扩大了单元编程的窗口。 虽然不清楚是成为5级单元( plc )技术还是其他技术，但该技术将成为成功接替qlc nand技术的有前途的候选人。

一个是增加存储层。 最近，通过96层的nand闪存芯片，实现了128位的nand闪存芯片。 制造商已经计划了未来的500层和800层的与非片。

另一个是增加各单元的比特数，可以做slc、mlc、tlc和最近的qlc nand，与现有技术相比，各单元可以增加一个各单元的比特数(一般需要权衡取舍)。

第三，缩小像素大小，使越来越多的像素适合单一图层。

kioxia的twin bics flash技术侧重于后者。 因为该公司相信，随着有100多个nand存储层，每一代层数的增加，收益会变小。 据kioxia称，与其他两种提高密度的方法相比，这种权衡看起来越来越不吸引人了。

这家企业在公告中指出

3d闪存技术通过增加单元堆积层的数量，进行多层堆积和高长宽比蚀刻，实现了低价格的高位密度。 近年来，单元层的数量超过100个，通过适应蚀刻轮廓的控制，尺寸均匀性和生产率的权衡问题变得越来越困难。 为了解决这个问题，kioxia开发了一种新型的半圆型单元设计单元，用以往的圆形单元分割栅电极，缩小单元尺寸，用更少的单元层数可以实现更高密度的存储。

twin bics flash离实现还有几年，还处于研究开发阶段。

kioxia目前计划年内发售bics5 128层nand闪存芯片。 skhynix和三星企业都在今年早些时候突破了100层里程碑，分别可以使用128层的4d nand和v-nand v6。

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