“AnandTech年度回顾2019的固态硬盘”

我们目前正处于pcie 4.0革命的风口浪尖，但2019年，闪存价格已经稳定，回升，新技术上市速度缓慢。 研究开发的步伐还在跟上。 因此，随着我们步入老年，必须开始看到基于2019年的设计进行了多种兴趣的开发。 这是我们的ssd年度评审2019。

3d nand层和位上蠕变

闪存价格大幅下跌的原因是，64层高的3d nand一代对大部分主要制造商表现良好，市场竞争加剧。 下跌的价格趋势在2019年被解释为不可持续，许多制造商选择放慢96层产品的生产步伐。 这不是加深需求过剩的局面。 是英特尔、美光、sk海格力斯。 也就是说，今年的很多产品发布还采用了64l nand，直到去年(或者稍晚一点移动速度慢的公司模式)还没有达到eol。

最初的96层高ssd于年7月发售，但96l一代直到2019年才正式开始进行。 三星是第一家推出新一代使用3d nand的零售ssd的公司，但实际上只有970 evo plus的92个全层级。 在其他许多领域，它们仍然是领域的领头羊，但在原有层数上明显落后。 根据三星避免使用字符串堆栈进行3d nand制造的决策，这是因为与竞争对手96l nand相比，92l nand的制造工艺步骤较少。

另一方面，sk hynix已经开始采用128l 3d nand采样ssd，计划在年度国际费用电子展上公布零售型号。 从历史上看，他们一直试图在层数方面超越其他市场，但弥补3d nand密度的其他缺点的做法正在增加。 今年，他们终于看到ssd而不是移动存储取得了更大的成功，但首要的是采用自己的ssd模型，而不是与其他ssd供应商的设计取得胜利。 展望未来，英特尔每年可能会使用144l qlc nand来计算层数。

随着nand形势的缓慢快速发展，每单元4位的qlc nand闪存未能进入ssd市场。 对于入门级nvme驱动器来说，tlc nand仍然是主流和高端驱动器的默认选择。

但这并未阻止闪存制造商寻找进一步提高密度的方法，而是超出了qlc nand的要求。 制造商已经开始公开关于他们的5人的PLC(NAND实验)，这在技术上是绝对可行的，但是不知道在经济上是否可行。 qlc nand的所有缺点通过在各单元中增加第5位而扩大。 在今年的闪存峰会和iedm上，东芝/ kioxia提出了将3d nand存储器物理分割为两部分的想法，为提高密度提供了另一种方法。

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