“英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET”

英凌科技利用650 v器件扩展sic产品组合。 英飞凌通过新上市的酷睿单芯片( coolsic mosfet )，处理了在广泛应用中能效、电力密度和鲁棒性不断增加的诉求。 这包括服务器、通信和工业smps、太阳能系统、能源存储和电池组、ups、电机驱动器和ev充电。

通过此次发布，英飞凌在600 v / 650 v电源域中补充了硅、sic和基于gan的功率半导体产品的广泛组合，英飞凌电源管理和多市场部高压转换高级总监steffen metzger表示。 这突出了戴尔在市场上的独特地位，它是唯一能够为所有三种电源技术提供如此广泛的产品的制造商。 另外，新的coolsic系列支持我们的主张，是工业用sic mosfet交换机的第一供应商。

coolsic mosfet 650 v设备的额定值为27米到107米。 它们可以通过使用经典的to-247端子和to-247 4端子封装来降低开关损耗。 相对于之前发布的所有coolsic mosfet产品，新的650 v器件系列基于英飞凌最新的沟槽半导体技术。 最大限度地提高了sic的强大物理特性，确保了这些设备的可靠性、同类最佳的开关和传导损耗。 另外，具有最高的跨导(增益)，4 v的阈值电压) v th )和短路鲁棒性。

据说650 v coolsic mosfet与其他硅和sic处理方式相比，具有更高频率下的开关效率和高可靠性等多个特征。 由于对温度的低导通电阻( rds(on ) )依赖性，热性能优异。 该器件还具有体二极管，可以存储少量的反向恢复电荷( q rr )，比最佳超级结coolmos mosfet低约80%。 方向转换鲁棒性例如通过采用连续传导模式的图腾柱功率因数校正( pfc )，可以非常简单地实现系统整体的效率98%。

为了简化采用650 v coolsic mosfet的应用设计，确保器件的高性能工作，英飞凌提供了专用的1通道和2通道电隔离EICE驱动电路。 该处理方案将coolsic开关与专用的门控驱动ic相结合，有助于降低系统价格和总拥有价格，提高能源效率。 coolsic mosfet还可以与英飞凌eicedriver门极驱动器系列的其他ic无缝配合。

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