“合肥长鑫企业去年9月份宣布量产国内DDR4内存芯片”

来源:快速技术

合肥长鑫企业去年9月宣布量产国内ddr4内存芯片，总投资额1500亿的国内内存项目终于开花。 今年以来，大量基于长鑫ddr4的国产内存上市，目前也确定了下一个目标，计划在2-3年内处理lpddr5，将工艺升级到17nm以下。

合肥长鑫所在地安徽日前发布了《重要行业短板产品和重要技术攻关攻略任务揭牌工作方案》文件。 该方案要求在2-3年间，突破关键技术，培育特色产品，强化特色公司，提高制造业自主控制水平，促进制造业优质快速发展。

在内存方面，文件要求推进低功耗高速率lpddr5 dram产品的开发，诉求能够自主控制中高端移动、平板电脑及成本类产品的dram存储芯片，开发了先进的低功耗高速率lpddr5产品实现产业化， 依靠dram 17nm以下的技术，进行高速接口技术、bank group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片上纠错

安徽的这份文件可以说是该省内新闻技术产业快速发展的大纲之一。 希望在2-3年内处理好一点重要的技术瓶颈。 事实上，合肥长鑫之前也发布过类似的技术路线图，但他们去年量产的内存还是初代10nm级工艺10g1，相当于19nm级工艺的ddr4技术，包括桌面级ddr4、lpddr4等。

长鑫已经计划了后续的内存新产品和技术。 预计还有10g3、10g5技术。 目前，具体水平尚不清楚。 大致率为1x、1y、1znm技术的发展，相当于16-19、14-16、12-14nm的水平。 具体看长鑫的能力吧。

关于国产lpddr5的上市时间，官方规定2-3年一定是足够的空之间。 实际完成的时间应该比这个短。 如果像长江储藏的国产闪存一样，处理第一代，后面的反复升级会加速。

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