“三星推出Flashbolt第三代HBM2E 16 Gb内存引脚速度高达3.2 Gbps”

三星电子宣布，第三代高带宽存储2e(HBM2e ) flashbolt已在市场上市。 新的16GB(GB ) hbm2e将高性能计算) hpc )系统最大化，帮助系统制造商及时改进超级计算机、ai驱动的数据观察和最先进的图形系统方法

三星推出新一代HBM2e16GB闪存，将容量和性能提高了两倍

新的flashbolt计划提供上一代8gb hbm2 aquabolt的两倍容量，大幅提高性能和能效，大幅改善新一代计算系统。 通过在缓冲芯片的上部垂直层叠8层10nm级( 1y ) 16千兆位) dram裸芯片，实现16gb的容量。

然后，以40，000个以上的贯通硅通孔( tsv )微凸块的正确排列对该hbm2e封装进行布线，每个16gb芯片含有5600个以上的微细孔。 三星的flashbolt使用自己优化的电路设计进行信号传输，提供每秒3.2千兆位/秒( gbps )的可靠数据传输速度，每个堆栈提供410gb / s秒的内存带宽。 每个存储器最多可以堆叠12个存储器芯片，通过1024位总线接口，每个堆栈可以配置24 gb的容量。

三星的hbm2e也能达到4.2gbps的传输速度，这是迄今为止最大的测试数据速率，根据未来的应用程序，各堆栈的带宽将达到538gb / s秒。 这是aquabolt的307gb /秒的1.75倍。

三星内存销售和市场营销副总裁cheol choi表示，随着当今市场上性能最高的dram的推出，为加强其在快速增长的高端内存市场中的领导地位创新者的作用，迈出了重要的一步 电子产品。 随着我们巩固在全球存储市场的特点，三星将继续兑现带来真正差异化处理方案的承诺。

三星计划今年上半年开始量产。 该公司将继续提供第二代accorportlet产品组，扩展第三代flash portlet产品，在整个高端存储市场加速向hbm处理计划过渡的过程中，进一步加强与新一代系统中的生态系统合作伙伴的合作。 由于先进的技术，nvidia和amd新一代数据中心和hpc gpu很可能使用三星的hbm2e内存处理方式。

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