“新型DRAM可能为即时PC铺平道路”

预期事件:单个封装具有ram和nand的特点是，内存制造商多年来一直在尝试，但收效甚微。 新的非易失性内存具有类似ram的速度和类似nand的功能，因此对设备来说可能很重要，因为它可以在断电时几乎立即打开电源，从上次中断的地方继续恢复。

如果你关注内存技术方面的信息，你可能听说过使ram和ssd高速化、高密度化、省电化的几种技术。 其中也有一些研究集中于寻找进行存储器内计算的方法，从根本上消除了数据在解析器、存储器、设备的非易失性存储器之间来回移动的诉求。

所有这些都是由以下事实引起的:向dram写入数据既高速又省电，但如果断电，数据的完整性也会下降。 之后，需要继续更新数据。 效率不高。 另一方面，nand是比较强健的数据保存方法，但写入和删除的操作速度较慢，会降低单元的性能，不能作为业务用存储器使用。

据英国兰开斯特大学的研究人员报道，他们已经建立了新的非易失性存储器，以dram的速度工作，但只消耗了写入数据时所需能量的1%。

原型技术被称为uk iii-v存储器，是基于20纳米的光刻技术构建的。 研究人员解释说，它提供了5ns的写入时间(相当于dram )和闪存一样的读取简单性。 但是，最感兴趣的功能实际上是非易失性的，是停电时完全保持数据的能力。

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