“三星推出其第三代HBM2E Flashbolt存储器”
发布时间：2021-06-09 18:57:01
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三星本周宣布推出第三代hbm2e flashbolt存储。 最新一代高带宽内存2旨在最大限度地提高hpc系统的计算性能，并帮助制造商改进超级计算机的设计。
三星新款flashbolt hbm2e的容量是上一代8gb aquabolt hbm2的两倍，带宽和能效大幅提高，新一代计算机系统的性能大幅提高。
三星内存销售和市场营销副总裁cheol choi表示，随着当今市场上性能最高的dram的推出，为加强其在快速增长的高端内存市场中的领导地位创新者的作用，迈出了重要的一步 电子产品。 随着我们巩固在全球存储市场的特点，三星将继续兑现带来真正差异化处理方案的承诺。
为了在hbm2e中实现16gb的容量，三星在缓冲芯片的上部垂直层叠了8层10nm级( 1y )的16千兆位dram芯片。 这个封装以40，000个tsv的排列相互连接，每个16gb芯片包含5600个以上的微孔。
新的flashbolt hbm2e采用针对信号传输而优化的电路设计，提供每秒3.2千兆位的数据传输速度，有些应用程序的内存带宽为每堆栈410gb / s秒。 这些性能指标比以前的hbm2 aquabolt的307gb / s带宽提高了1.7倍。
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